公司名称 | 内容 |
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基本信息
申请公布号 | CN217536138U | 申请号 | 2021233859929 |
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分类号 | C23C14/35(2006.01)I | ||
公开(公告)号 | CN217536138U | 公开(公告)日 | 2022-10-04 |
发明名称 | 一种新型的共溅双平面磁控靶 | ||
发明人 | 张俊峰;赵子东;王栋权;魏庆瑄 | 申请人 | 上海子创镀膜技术有限公司 |
申请日 | 2021-12-29 | 申请公布日 | 2022-10-04 |
代理机构 | 上海尊肃专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 李珍珍 |
地址 | 上海市金山区金山工业区金飞路808号 | ||
摘要 | 本实用新型涉及真空溅射镀膜技术领域,具体公开了一种新型的共溅双平面磁控靶,包括呈“A”字形排布的左侧平面靶、右侧平面靶,左侧平面靶、右侧平面靶左右对称倾斜设置在基片的上方,左侧平面靶、右侧平面靶上分别安装有两个不同的靶材;所述左侧平面靶、右侧平面靶安装在阴极盖板上,屏蔽罩的内侧安装有阳极罩,阳极罩的内部安装有靶材,靶材压条的一侧安装有水槽板,水槽板与冷却水管连接;所述水槽板的前侧安装有磁钢座,磁钢座与水槽板之间安装有磁体,磁钢座的外侧安装有靶座。该共溅双平面磁控靶的两平面靶中心线交汇点与与基片上表面重合,从而使两平面靶共同溅射到基片同一区域上,在基片上沉积所需组分的混合物化合物薄膜。 | ||
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