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水滴信用 > 上海子创镀膜技术有限公司 > 专利详情
   CN217536138U一种新型的共溅双平面磁控靶

基本信息

申请公布号 CN217536138U 申请号 2021233859929
分类号 C23C14/35(2006.01)I 
公开(公告)号 CN217536138U 公开(公告)日 2022-10-04
发明名称 一种新型的共溅双平面磁控靶
发明人 张俊峰;赵子东;王栋权;魏庆瑄 申请人 上海子创镀膜技术有限公司
申请日 2021-12-29 申请公布日 2022-10-04
代理机构 上海尊肃专利代理事务所(普通合伙) 代理人 李珍珍 
地址 上海市金山区金山工业区金飞路808号
摘要 本实用新型涉及真空溅射镀膜技术领域,具体公开了一种新型的共溅双平面磁控靶,包括呈“A”字形排布的左侧平面靶、右侧平面靶,左侧平面靶、右侧平面靶左右对称倾斜设置在基片的上方,左侧平面靶、右侧平面靶上分别安装有两个不同的靶材;所述左侧平面靶、右侧平面靶安装在阴极盖板上,屏蔽罩的内侧安装有阳极罩,阳极罩的内部安装有靶材,靶材压条的一侧安装有水槽板,水槽板与冷却水管连接;所述水槽板的前侧安装有磁钢座,磁钢座与水槽板之间安装有磁体,磁钢座的外侧安装有靶座。该共溅双平面磁控靶的两平面靶中心线交汇点与与基片上表面重合,从而使两平面靶共同溅射到基片同一区域上,在基片上沉积所需组分的混合物化合物薄膜。

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